半导体材料

       电导率介于导电材料和绝缘材料之间，约为105～10-7西／米的材料。对于电子（空穴）电导也可按能带理论的禁带宽度来定义,其值约为0.08～3电子伏（也有人认为其上限应为1.5或2电子伏）。半导体与导体相比，除电导率小外，其电导率随温度升高而增大，而导体的电导率随温度升高而下降。 　　
      半导体的性质随缺陷和杂质含量而显著变化，所以可利用掺杂来控制其性能。例如硅、锗中掺入磷、砷、锑等元素可制成电子型(N型)半导体， 掺入硼、铝、镓、铟等元素可制成空穴型（P型）半导体。利用 N型和P型的不同组合，可获得整流和放大作用，在电工中作为电源和控制、调节之用。 　　
     半导体的电导率对外界因素极为敏感，在其作用下可观察到一系列物理现象。例如在不同波长的光照下能产生光电效应，这时电子吸收光能，导致自由载流子浓度增大，从而电导率增大，称为光电导性。利用这一性质，可制成光敏元件。此外，还有热电效应、霍耳效应、磁阻效应、压电效应、场效应和隧道效应等都可加以利用。 　　
    半导体可以按化学组分分为有机的和无机的两类，目前主要使用无机半导体。无机半导体可进一步分为元素型和化合物型。后者按组分元素又可分为二元、三元等，近年来发展迅速。半导体也可按其结构形态分为结晶半导体和非晶态半导体。一般多使用前者，但70年代以来正在大力开发后者。